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R6006ANDTL中文资料

R6006ANDTL图片

R6006ANDTL外观图

  • 大小:746KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 6A CPT
  • 现有数量:2,350现货
  • 价格:1 : ¥17.81000剪切带(CT)2,500 : ¥9.37580卷带(TR)
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:不适用于新设计
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.2 欧姆 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):15 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):460 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):40W(Tc)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:CPT3
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

R6006ANDTL供应商

更新时间:2022-12-31 21:11:38
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